在與4月25日閉幕的“2008日本傳感器綜合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”并設(shè)的“2008傳感器·執(zhí)行器·微機(jī)械綜合討論會(huì)”上，美國(guó)SiTime的日本代理商就SiTime的MEMS振蕩器（硅振蕩器）發(fā)表演講，就其相對(duì)于現(xiàn)有水晶振蕩器的優(yōu)越性進(jìn)行了介紹。

　　演講人向中野 浩志（Macnica產(chǎn)品企劃部部長(zhǎng)）表示，在成本方面，MEMS振蕩器優(yōu)于水晶振蕩器。在使用晶體底板尺寸較大的硅時(shí)，加工所需的掩膜數(shù)量不到10張�？紤]到通用CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器的成本競(jìng)爭(zhēng)力較高。并且，向中野還通過(guò)與已上市的水晶振蕩器的配置進(jìn)行對(duì)比，用具體數(shù)值強(qiáng)調(diào)了MEMS振蕩器在性能和成本上的優(yōu)勢(shì)。

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發(fā)揮比現(xiàn)在更大的成本競(jìng)爭(zhēng)力。這是因?yàn)�，MEMS部分（振子）和溫度校正所需的周邊電路可以實(shí)現(xiàn)單芯片化。利用該公司擁有的技術(shù)，能夠把作為可動(dòng)部分的振子在CMOS的前工序中密閉，然后形成CMOS電路。無(wú)需經(jīng)過(guò)焊接和引線鍵合等安裝工序，即可使MEMS部分和CMOS部分實(shí)現(xiàn)單芯片化。

　　但是，在現(xiàn)在供應(yīng)的產(chǎn)品中，MEMS部分和CMOS部分作為單獨(dú)芯片制造，分別通過(guò)引線鍵合連接。兩個(gè)芯片無(wú)法合一的原因在于二者接近后存在干擾。就此，向中野表示，“怎樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，并作為單芯片產(chǎn)品投產(chǎn)，將是今后需要解決的課題。